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然后，上半势分为了定量的分析压电滞回线的凹陷特征，构建图3-8所示的凸结构曲线。

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上半势分临界厚度d=6.3nm的量子相变也是由磁场引起的绝缘体到金属转变独立地确定的。参考文献：气形Science,2010,329,61-64.DOI:10.1126/science.11874858、气形Aharonov–Bohminterferenceintopologicalinsulatornanoribbons(Aharonov-Bohm干扰拓扑绝缘体的纳米带)拓扑绝缘体代表具有绝缘体间隙和无间隙边缘或表面态的量子物质的不同时期。